Isamu Akasaki


Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.

Saltar para a navegaçãoSaltar para a pesquisa

Isamu Akasaki Medalha Nobel
Nascimento 30 de janeiro de 1929 (89 anos)
Kagoshima
Nacionalidade Japão Japonês
Alma mater Universidade de Quioto
Prêmios Medalha Edison IEEE (2011), Nobel de Física (2014), Prêmio Charles Stark Draper (2015)
Campo(s) Física

Isamu Akasaki (em japonês赤崎 勇Akasaki IsamuKagoshima30 de janeiro de 1929) é um físico japonês. Foi laureado com o Nobel de Física de 2014, em conjunto com Hiroshi Amano e Shuji Nakamura, “pela invenção de diodos azuis emissores de luz que permitiram fontes de luz brilhantes e economizadoras de energia”.[1]

Em 1989 foi o primeiro a produzir diodo emissor de luz azul, baseado na junção PN com o material semicondutor nitreto de gálio (GaN).[2] Por este trabalho recebeu em 2011 a Medalha Edison IEEE.[3]

Isamu Akasaki estudou ate 1952 engenharia elétrica na Universidade de Quioto, obtendo um doutorado na Universidade de Nagoya. Seus primeiros trabalhos na área da optoeletrônica e diodos emissores de luz foram realizados no final da década de 1960 e na década de 1970, entre outras empresas na Matsushita. Em 1981 e nos anos seguintes, tendo retornado para a Universidade de Nagoya, usando deposição de vapor por processos químicos organometálicos (em inglêsMetalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE)) para a produção de monocristais de nitreto de gálio com elevada pureza sobre um substrato de safira. Conseguiu produzir em 1989 o primeiro diodo emissor de luz azul eficiente.[4][2]Anteriormente eram produzidos apenas LED´s azuis baseados no semicondutor indireto carbeto de silício. Estes LEDs foram disponibilizados ao mercado na década de 1970, mas não foram utilizados em grande escala em razão de sua baixa eficiência.

Condecorações selecionadas[editar | editar código-fonte]

Referências

  1. Ir para cima «The Nobel Prize in Physics 2014» (em inglês). Fundação Nobel. Consultado em 7 de outubro de 2014.
  2. ↑ Ir para:a b Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki, “P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28 (1989) L2112-L2114, doi:10.1143/JJAP.28.L2112
  3. Ir para cima «IEEE Edison Medal Recipients» (PDF; 151 kB). IEEE. Consultado em 7 de outubro de 2014.
  4. Ir para cima Applied Physics Letters, Volume 48, Issue 5, pp. 353-355[ligação inativa]
Anúncios

Deixe um comentário

Preencha os seus dados abaixo ou clique em um ícone para log in:

Logotipo do WordPress.com

Você está comentando utilizando sua conta WordPress.com. Sair /  Alterar )

Foto do Google+

Você está comentando utilizando sua conta Google+. Sair /  Alterar )

Imagem do Twitter

Você está comentando utilizando sua conta Twitter. Sair /  Alterar )

Foto do Facebook

Você está comentando utilizando sua conta Facebook. Sair /  Alterar )

Conectando a %s